|
Название: Интегральные микросхемы энергонезависимой памяти 28F008SA, 28F008SA-L
Автор: В. В. Затишной
Издательство: М.: Бином, Конкорд
Год: 1992
Страниц: 80
Язык: русский
Формат: pdf, djvu
Размер: 10.2 Мб
Книга посвящена микросхемам энергонезависимой памяти. Новые изделия флэш-памяти имеют однотранзисторную ячейку с двухслойным поликремниевым затвором. Ячейка флэш-памяти, изготовленная по технологии ЕТОХIII, выдерживает не менее 100000 циклов записи/стирания. С целью дальнейшего расширения жизненного цикла в новых разработках флэш-памяти реализована блочная структура накопителя, стирание производится во всех ячейках блока одновременно за счёт туннелирования электронов через окисел в затвор. Для записи байта данных, как и в ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием; используется инжекция горячих электронов. Новые изделия флэш-памяти по быстродействию и стоимости приближаются к динамическим ОЗУ, сохраняя существенное преимущество - энергонезависимость. Подробно описаны микросхемы РПЗУ с электрическим стиранием информации 28FOO8SA и 28FOO8SA-L фирмы Intel: КМОП технология, емкость 8 Мбит с организацией 1М х 8, время выборки 85мс, минимум 100000 циклов репрограммирования.
|
Автор: khakiwolf 19-08-2017, 11:59 | Напечатать
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
|
|
|
Разделы сайта
Авторизация
Реклама
Интегральные микросхемы энергонезависимой памяти 28F008SA, 28F008SA-L 
