- Добавил: M5662
- Дата: 7-05-2018, 17:21
- Комментариев: 0

Название: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Автор: Красников Г.Я.
Издательство: М.: Техносфера
Год: 2011
Страниц: 800
ISBN: 978-5-94836-289-2
Формат: PDF
Размер: 25 Мб
Язык: русский
Серия: Мир электроники
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев.