LitMy.ru - литература в один клик

  • Добавил: literator
  • Дата: 5-02-2022, 04:26
  • Комментариев: 0
Make Your Own PC For Beginners - 9th Edition, February 2022 UpdateНазвание: Make Your Own PC For Beginners - 9th Edition, February 2022 Update
Автор: Black Dog Media
Издательство: Papercut Media
Год: 2022
Язык: английский
Формат: pdf
Размер: 35.3 MB

Building a computer used to be a delicate process. Once your collection of components finally booted for the first time, it was a triumphant experience rewarding you with the official “tech-head” title.
  • Добавил: literator
  • Дата: 4-02-2022, 21:22
  • Комментариев: 0
Nonlinear Design: FETs and HEMTsНазвание: Nonlinear Design: FETs and HEMTs
Автор: Peter H. Ladbrooke
Издательство: Artech House
Год: 2022
Страниц: 373
Язык: английский
Формат: pdf (true)
Размер: 38.1 MB

Despite its continuing popularity, the so-called standard circuit model of compound semiconductor field-effect transistors (FETs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is shown to have a limitation for nonlinear analysis and design: it is valid only in the static limit. When the voltages and currents are time-varying, as they must be for these devices to have any practical use, the model progressively fails for higher specification circuits. This book shows how to reform the standard model to render it fully compliant with the way FETs and HEMTs actually function, thus rendering it valid dynamically. Proof-of-principle is demonstrated for several practical circuits, including a frequency doubler and amplifiers with demanding performance criteria. Methods for extracting both the reformulated model and the standard model are described, including a scheme for re-constructing from S-parameters the bias-dependent dynamic (or RF) I(V) characteristics along which devices work in real-world applications, and as needed for the design of nonlinear circuits using harmonic-balance and time-domain simulators.
  • Добавил: fisher1978
  • Дата: 4-02-2022, 07:52
  • Комментариев: 0
Название: Источники вторичного электропитания с бестрансформаторным входом
Автор: Алексей Бас, Владимир Миловзоров, Александр Мусолин
Издательство: Радио и связь
Год: 1987
Формат: pdf
Страниц: 160
Размер: 10 Mб
Язык: Русский

Рассматриваются принципы построения и особенности проектирования источников вторичного электропитания на основе транзисторных преобразователей напряжения повышенной частоты, обосновывается выбор функциональных узлов источников электропитания и приводятся электрические схемы с использованием современной силовой элементной базы, дается их расчет.
  • Добавил: fisher1978
  • Дата: 4-02-2022, 07:10
  • Комментариев: 0
Название: Операционные усилители
Автор: Иржи Достал
Издательство: Мир
Год издания: 1982
Страниц: 513
Формат: pdf
Размер: 18,9 Мб
Язык: русский

С исчерпывающей полнотой рассмотрены методы построения и применения операционных усилителей. Автору удалось, не прибегая к сложному математическому аппарату, осветить все существенные вопросы теории и дать очень полный обзор схемотехники операционных усилителей и принципов их использования. Отдельные разделы посвящены практическим вопросам определения параметров и методам испытаний.
  • Добавил: literator
  • Дата: 3-02-2022, 18:28
  • Комментариев: 0
Nanotechnology for Electronic ApplicationsНазвание: Nanotechnology for Electronic Applications
Автор: Nabisab Mujawar Mubarak, Sreerag Gopi, Preetha Balakrishnan
Издательство: Springer
Год: 2022
Страниц: 270
Язык: английский
Формат: pdf (true)
Размер: 10.2 MB

This book provides an overview of the electronic applications of nanotechnology. It presents latest research in the areas of nanotechnology applied to the fields of electronics and energy. Various topics covered in this book include nanotechnology in electronic field, electronic chips and circuits, batteries, wireless devices, energy storage, semiconductors, fuel cells, defense and military equipment, and aerospace industry, This book will be useful for engineers, researchers and industry professionals primarily in the fields of electrical engineering engineering, materials science and nanotechnology.
  • Добавил: polyanskiy
  • Дата: 3-02-2022, 10:46
  • Комментариев: 0

Автор: ред. А. А. Васильев.
Название: Лучшие конструкции 12-й радиовыставки
Издательство: М:, ДОСААФ
Год: 1957
Страниц: 268
Формат: DJVU, PDF
Размер: 47 МБ

Всесоюзные выставки творчества радиолюбителей-конструкторов привлекают широкое внимание радиолюбительской общественности. Радиолюбители интересуются подробным описанием отдельных приборов, представляемых на выставки. К сожалению, большое количество выставляемых экспонатов (на Двенадцатую радиовыставку их было представлено свыше тысячи) т дает возможности подробно опубликовать описание всех представленных экспонатов.
  • Добавил: literator
  • Дата: 1-02-2022, 18:23
  • Комментариев: 0
A First Course in Aerial Robots and DronesНазвание: A First Course in Aerial Robots and Drones
Автор: Yasmina Bestaoui Sebbane
Издательство: CRC Press
Год: 2022
Страниц: 216
Язык: английский
Формат: pdf (true)
Размер: 10.2 MB

A First Course in Aerial Robots and Drones provides an accessible and student friendly introduction to aerial robots and drones. Drones figure prominently as opportunities for students to learn various aspects of aerospace engineering and design. Drones offer an enticing entry point for STEM studies. As the use of drones in STEM studies grows, there is an emerging generation of drone pilots who are not just good at flying, but experts in specific niches, such as mapping or thermography. This book prepares readers to the field of unmanned aircraft systems (UAS), also known as remotely piloted aircraft systems (RPAS) or drones. The term unmanned aircraft includes very large aircraft similar in size and complexity to manned aircraft, but also very small drones.
  • Добавил: fisher1978
  • Дата: 1-02-2022, 08:05
  • Комментариев: 0
Название: Источники электропитания на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет
Автор: Додик С.Д.; Гальперин Е.И. (ред.)
Издательство: Советское радио
Год: 1969
Формат: pdf
Страниц: 449
Размер: 115 Mb
Язык: Русский

В книге содержатся материалы, позволяющие выбрать оптимальные схемы полупроводниковых источников питания, удовлетворяющие различным требованиям, и произвести инженерный расчет элементов схем с учетом особенностей полупроводниковых приборов.
  • Добавил: literator
  • Дата: 31-01-2022, 18:40
  • Комментариев: 0
Electronic Devices and Circuits 1Название: Electronic Devices and Circuits 1
Автор: Prof. Deepa Divate
Издательство: Ques10
Год: 2020
Страниц: 108
Язык: английский
Формат: pdf, azw3, epub
Размер: 10.2 MB

People say, "Don't judge a book by its cover". But don't we? As engineering students, we are master procrastinators. We only want to study stuff that is absolutely necessary. So just days before the exams, when no-head-no-tail-heavy-weight reference books stop making any sense, we start looking for something which does. We run to the nearest bookstore and buy whatever everyone else has. But, while studying we do notice that they are not up to the mark. No clear explanation, tons of mistakes, tough sentences.. you know what we are talking about. That's why we have made Ques10 books.
  • Добавил: literator
  • Дата: 31-01-2022, 05:18
  • Комментариев: 0
Wide Bandgap Semiconductor-Based ElectronicsНазвание: Wide Bandgap Semiconductor-Based Electronics
Автор: Fan Ren, Stephen J. Pearton
Издательство: IOP Publishing
Год: 2020
Страниц: 582
Язык: английский
Формат: pdf (true)
Размер: 81.5 MB

Advances in wide bandgap semiconductor materials are enabling the development of a new generation of power semiconductor devices that far exceed the performance of silicon-based devices. These technologies offer potential breakthrough performance for a wide range of applications, including high-power and RF electronics, deep-UV optoelectronics, quantum information and extreme-environment applications. This reference text provides comprehensive coverage of the challenges and latest research in wide and ultra-wide bandgap semiconductors. Leading researchers from around the world provide reviews on the latest development of materials and devices in these systems.