Глава 1. Электровакуумные приборы 3
§ 1. Общие сведения об электровакуумных приборах 3
1. Принцип устройства и работы электронной лампы 3
2 Движение электронов в электрическом поле 6
§ 2. Катоды электровакуумных приборов 9
1. Электронная эмиссия 9
2. Способы накала катода 12
3. Параметры катода 13
4. Типы катодов 14
5. Конструкция' катодов 16
6. Эксплуатация катодов 17
§ 3. Двухэлектродная лампа 19
1. Принцип работы двухэлектродной лампы 19
2. Пространственный заряд 20
3. Характеристики двухэлектродной лампы 23
4. Сопротивление лампы постоянному и переменному токам 26
5. Нагрузочный режим диода 33
6. Мощность, выделяемая на аноде 35
7. Конструкция и применение двухэлектродных ламп 37
§ 4. Трехэлектродная лампа 39
1. Устройство и принцип работы триода 39
2. Характеристики триода 39
3. Статические параметры триода 44
4. Определение параметров триода 49
5. Понятие о сопротивлении триода постоянному току 50
6. Нагрузочный режим триода 51
7. Построение нагрузочной управляющей характеристики 56
8. Область допустимых режимов работы 57
9. Междуэлектродные емкости триода 58
§ 5. Принцип усиления переменного напряжения лампой 59
1. Схема резисторного усилителя и физические процессы в нем 63
2. Эквивалентная схема усилительного каскада 63
3. Коэффициент усиления каскада 66
4. Графический метод расчета усилительного каскада 67
§ 6. Четырехэлектродная лампа 69
1. Основные требования, предъявляемые к усилительным лампам, и недостатки триода 69
2. Устройство четырехэлектродной лампы. Роль экранирующей сетки 70
3. Характеристики и параметры тетрода 73
4. Динатронный эффект 74
§ 7. Пятиэлектродная лампа 77
1. Устройство пятиэлектродной лампы. Роль защитной сетки 77
2 Характеристики пентода 79
3. Параметры пентода 82
4. Пентод с удлиненной характеристикой 83
5. Виды пентодов 85
§ 8. Лучевой тетрод 86
§ 9. Специальные лампы 89
1. Малогабаритные лампы 89
2. Лампы для сверхвысоких частот 91
3. Широкополосные лампы 92
4. Лампы для преобразования частоты 94
5. Комбинированные лампы 95
§ 10. Электрический разряд в газах 96
1. Физические процессы, возникающие при прохождении электрического тока через газ. Ударная ионизация 99
2. Напряжение возникновения электрического разряда 99
3. Вольт-амперная характеристика электрического разряда в газе 101
4. Высокочастотный разряд 104
§ 11. Газоразрядные (ионные) приборы 105
1. Неоновая лампа 105
2. Стабилитрон 105
3. Газонаполненные (ионные) разрядники 107
4. Тиратрон 110
5. Цифровой индикатор 116
Глава 2. Электроннолучевые приборы 119
§ 1. Электроннолучевые трубки с электростатическим управлением 119
1. Назначение и типы электроннолучевых трубок 119
2. Устройство электроннолучевой трубки с электростатическим управлением 121
3. Фокусировка электронов электрическим полем 126
4. Отклоняющая система трубки с электростатическим управлением 130
5. Параметры электроннолучевых трубок 134
6. Схема питания электроннолучевой трубки 136
§ 2. Электроннолучевые трубки с магнитным управлением 138
1. Устройство, принцип действия и схема питания 138
2. Движение электронов в однородном магнитном поле 140
3. Фокусировка электронов неоднородным магнитным полем 143
4. Отклоняющая система трубки с магнитным управлением 147
§ 3. Специальные типы электроннолучевых трубок 151
1. Электроннолучевые трубки с центральным электродом 151
2. Двухлучевые трубки 152
3. Электроннолучевые трубки с ионными ловушками 153
4. Электроннолучевые трубки с послеускорением электронов 154
5. Характрон 156
§ 4. Электроннолучевые приборы с накоплением заряда 158
1. Классификация электроннолучевых приборов с накоплением заряда 159
2. Иконоскоп 159
3. Вндикон 160
4. Потенциалоскоп 164
5. Тайпотрон и графекон 168
Глава 3. Полупроводниковые приборы 171
§ 1. Электропроводность полупроводников 171
1. Кристаллические структуры полупроводников 171
2. Основные понятия зонной теории 175
3. Носители зарядов в полупроводниках 178
4. Уровень Ферми в полупроводниках 181
5. Концентрация свободных носителей зарядов в полупроводниках 184
6. Электропроводность полупроводников 186
7. Рекомбинация и время жизни неравновесных носителей 188
8. Наклон энергетических зон в электрическрм поле 191
§ 2. Контактные явления в полупроводниках 192
1. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии 192
2. p—n-переход при обратном смещении 196
3. p—n -переход при прямом смещении 199
4. Пробой перехода 202
5. Контакт металл — полупроводник. Омический контакт 205
§ 3. Полупроводниковые диоды 208
1. Вольт-амперная характеристика и основные параметры диодов 208
2. Выпрямительные диоды 210
3. Стабилитроны 212
4. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды 214
5. Импульсные диоды 215
6. Туннельные диоды 221
7. Лавинно-пролетные диоды 227
8. Диоды на гетеропереходах 228
§ 4. Принцип действия транзистора. Токи транзистора 229
1. Типы транзисторов. Схема включения и режимы 229
2. Токи транзистора 231
§ 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов 235
1. Назначение и типы характеристик 235
2. Характеристики транзисторов с общей базой 236
3. Характеристики транзисторов с общим эмиттером 240
§ 6. Параметры и эквивалентные * схемы транзисторов 245
1. Параметры транзисторов 245
2. Эквивалентные схемы 248
3. Транзистор как линейный активный четырехполюсник 250
4. Зависимость параметров транзистора от частоты, температуры и режима 254
5. Шумы транзистора 261
§ 7. Другие типы транзисторов 263
1. Транзистор типа p—n—i— p 263
2. Дрейфовый транзистор 264
3. Канальный транзистор 264
4. Четырехслойные p—n— p— n структуры 266
§ 8. Работа транзистора с нагрузкой 268
1. Принцип действия усилителя с общей базой 268
2. Принцип действия усилителя с общим эмиттером 270
3. Принцип действия усилителя с общим коллектором 272
4. Температурная стабилизация исходного режима транзистора 274
§ 9. Работа транзистора в импульсном режиме 276
1. Переходные процессы в транзисторе с общим эмиттером 276
2. Переходные процессы в транзисторе с общей базой 281
§ 10. Методы изготовления р—«-переходов 282
1. Электрическая формовка точечного контакта 282
2. Метод сплавления 283
3. Метод вытягивания электронно-дырочных переходов из расплава 284
4. Электрохимический метод 285
5. Диффузионный метод 286