Автор: Зеликман, Е. 3. Мазель, Ф. П. Пресс а С. В. Фронк
Название: Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды, технология производства
Издательство: М:, Энергия
Год: 1964
Страниц: 186
Формат: DJVU, PDF
Размер: 12 МБ

В книге рассмотрены способы создания электронно-дырочных переходов и контактов в кремниевых диодах и транзисторах. Книга рассчитана на инженеров, занимающихся разработкой и производством кремниевых приборов, и на студентов высших технических учебных заведений, специализирующихся в области производства полупроводниковых приборов.
Содержание:
Предисловие 3
Глава первая. Физические и химические свойства кремния 5
1-1. Общие физические свойства 5
1-2. Химические свойства 7
1-3. Электрические свойства 10
1-4. Дефекты структуры 26
1-5. Влияние термической обработки 30
Глава вторая. Методы создания электронно-дырочных переходов в кремнии. Выращивание из расплава и сплавление 35
2-1. Общие замечания 35
2-2. Метод выращивания из расплава 36
2-3. Метод сплавления 40
Глава третья. Методы создания электронно-дырочных переходов на кремнии. Диффузия и эпитаксиальное выращивание 76
3-1. Краткое описание метода 76
3-2. Основы теории диффузионных процессов 77
3-3. Методика исследования диффузионных слоев 92
3-4. Способы осуществления процессов диффузии 106
а) Диффузия из паровой фазы 106
б) Диффузия из поверхностного слоя 111
в) Двухступенчатая диффузия 127
г) Комбинированные способы 129
д) Обратная диффузия 133
3-5. Экспериментальные данные по диффузии элементов в кремний 134
3-6. Оборудование и методические указания 147
3-7. Метод эпитаксиального выращивания 152
Глава четвертая. Методы создания контактов к электродам кремниевых диодов и транзисторов 164
4-1. Общие замечания 164
4-2. Создание контактов методом сплавления 167
4-3. Другие методы создания контактов 172
Литература 176