Автор: Голуб В. С.
Название: Расчет стабилизации режима полупроводниковых усилителей
Издательство: К:, Технiка
Год: 1977
Страниц: 104
Формат: DJVU, PDF
Размер: 10 МБ
Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов —«транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающий простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов. Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью. Предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также может быть полезна студентам вузов соответствующих специальностей.
Оглавление:
Предисловие 3
Глава I. Причины нестабильности и стабилизация режима транзисторов в однотранзисторных каскадах 5
1. Параметры транзистора по постоянному току и их влияние на ток коллектора 5
2. Режим работы транзистора в однотранзисторных каскадах 15
3. Обобщенные выражения для постоянных составляющих тока и напряжения транзистора 24
Глава II. Стабилизация и расчет режима гальванически связанных транзисторов 29
1. Эквивалентная схема и обобщенные выражения для нестабильностей тока и напряжения транзисторов 29
2. Методы определения нестабильностей и полных значений тока и напряжения транзисторов 31
3. Анализ и построение усилителей с гальваническими связями транзисторов 48
Глава III. Стабилизация и расчет режима микросхем типа операционного усилителя 62
1. Источники нестабильности и стабилизация режима операционного усилителя 63
2. Расчет нестабильности режима гальванически связанных операционных усилителей 76
3. Анализ и построение усилительных устройств на операционных усилителях 86
Приложение 95
Список литературы 99
|
Разделы сайта
Авторизация
Реклама
Расчет стабилизации режима полупроводниковых усилителей 
