Название: Основы силовой электроники. Силовые полупроводниковые приборы Автор(ы): Ковалев Ф.И., Усачев В.А.(ред.) Издательство: МГТУ Год: 2012 Страниц: 248 Формат: PDF Размер: 28 Мб Язык: русский
Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов производства полупроводниковых приборов силовой электроники и приведены применяемые в них материалы. Содержание учебного пособия соответствует курсам лекций, которые авторы читают в МГТУ им. Н. Э. Баумана. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки специалистов 210600 "Радиоэлектронные системы и комплексы". Будет полезно аспирантам и инженерам, специализирующимся в данной области.
Глава 1. Физика полупроводниковых приборов 1.1. Полупроводники 1.2. Электронно-дырочный p-n-переход 1.3. Лавинный пробой электронно-дырочного p-n-перехода 1.4. Контакты металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник Глава 2. Диоды 2.1. Принцип действия диода 2.2. Вольт-амперная характеристика диода 2.3. Основные электрические характеристики силовых диодов 2.4. Потери мощности в диоде 2.5. Конструкция корпусов силовых диодов и их охладителей 2.6. Охлаждающие устройства 2.7. Последовательное и параллельное соединение силовых диодов 2.8. Классификация силовых диодов 2.9. Применение силовых диодов и рекомендации по их выбору Глава 3. Тиристоры 3.1. Принцип действия силового тиристора 3.2. Вольт-амперная характеристика тиристора 3.3. Основные электрические характеристики силовых тиристоров 3.4. Цепь управления тиристором 3.5. Процессы коммутации тиристора 3.6. Рассеяние мощности в тиристоре (потери мощности) 3.7. Тепловые характеристики силового тиристора 3.8. Параллельное соединение тиристоров 3.9. Последовательное соединение тиристоров 3.10. Защита силовых тиристоров в электрических цепях 3.11. Классификация силовых тиристоров 3.12. Конструкции корпусов силовых тиристоров Глава 4. Биполярные транзисторы 4.1. Структура силового транзистора 4.2. Вольт-амперные характеристики БТ 4.3. Физика работы силового биполярного транзистора 4.4. Переходные процессы в БТ 4.5. Физические механизмы развития вторичного пробоя в мощных высоковольтных транзисторах 4.6. Области безопасной работы мощных биполярных транзисторов Глава 5. Полевые транзисторы 5.1. Структуры МОП ПТ 5.2. Вольт-амперные характеристики МОП ПТ 5.3. Физические принципы работы МОП ПТ 5.4. Динамические характеристики МОП ПТ 5.5. Предельные параметры, характеристики и область безопасной работы 5.6. Влияние температуры на характеристики МОП ПТ, параллельное включение МОП ПТ 5.7. Статические индукционные транзисторы Глава 6. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 6.1. Структуры МОП БТ 6.2. Вольт-амперные характеристики МОП БТ 6.3. Физика работы МОП БТ 6.4. Динамические характеристики МОП БТ 6.5. Предельные характеристики и области безопасной работы МОП БТ 6.6. Состояние, тенденции и перспективы развития МОП БТ для устройств силовой электроники Глава 7. Силовые интегральные схемы 7.1. Типы силовых интегральных схем 7.2. Интеллектуальные интегральные схемы Глава 8. Полупроводниковые материалы для приборов силовой электроники 8.1. Общие сведения о материалах и процессах производства силовых полупроводниковых приборов 8.2. Базовые структурообразующие материалы силовой электроники и их свойства 8.3. Материалы для проведения процессов легирования в полупроводниках 8.4. Материалы для изготовления токоведущих соединений на кристалле Приложение. Терминологический словарь полупроводниковых приборов силовой электроники
Внимание
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
