Название: Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур
Автор: Корольков В.И., Рахимов Н.
Издательство: Ташкент, ФАН
Год: 1986
Формат: PDF
Качество: Отсканированные страницы
Страниц: 152
Размер: 18.9 MB
Язык: Русский

В монографии рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда.
Для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей вузов.